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  MOSFET  (20’674 Angebote unter 5’577’005 Artikeln)

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"MOSFET"

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ROHM R6000ENHTB1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 500 mA, 8-Pin SOP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 500 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,8 Ω Channel-Modus = Enhancement...
ROHM Semiconductor
R6000ENHTB1
ab CHF 0.327*
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Infineon IPD380P06NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 28 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD380P06NMATMA1
ab CHF 1.35*
pro Stück
 
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ROHM R6509KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,585 Ω Channel-Modus = En...
ROHM Semiconductor
R6509KND3TL1
ab CHF 0.72*
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Infineon IPLK80R900P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 5-Pin ThinPAK 5 x 6 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = ThinPAK 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPLK80R900P7ATMA1
ab CHF 0.50*
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ROHM R6004ENJTL MOSFET, N-KANAL, 600V, 4A, TO-263 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dau...
ROHM Semiconductor
R6004ENJTL
ab CHF 0.707*
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Infineon IPF039N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 126 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 126 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF039N08NF2SATMA1
ab CHF 1.80*
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ROHM R6511END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,4 Ω Channel-Modus = Enh...
ROHM Semiconductor
R6511END3TL1
ab CHF 1.11*
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ON Semiconductor MMBFJ201 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3 (3 Angebote) 
ON Semiconductor MMBFJ201 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3 MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 40 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (m...
onsemi
MMBFJ201
ab CHF 0.101*
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 Stück
ROHM R6004PND3FRATL MOSFET AEC-Q101 N-KANAL 600V, 4A, TO-252 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4 A Be...
ROHM Semiconductor
R6004PND3FRATL
ab CHF 1.26*
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 Stück
Infineon IPD42DP15LMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD42DP15LMATMA1
ab CHF 1.26*
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 Stück
ROHM R6511KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,4 Ω Channel-Modus = Enh...
ROHM Semiconductor
R6511KND3TL1
ab CHF 0.948*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPN70R1K4P7S Transistor 700 V (1 Angebot)
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1
ab CHF 513.81*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
ROHM R6006JNJGTL MOSFET, N-KANAL, 6A, 600V, TO-263S (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 15 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...
ROHM Semiconductor
R6006JNJGTL
ab CHF 0.968*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF050N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 117 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 117 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF050N10NF2SATMA1
ab CHF 1.36*
pro Stück
 
 Stück
ROHM R6515KNX3C16 MOSFET, N-KANAL, 650V, 15A, TO-220AB (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Verlustleistung: 161 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V SVHC: Lead (23-Jan-2024) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswidersta...
ROHM Semiconductor
R6515KNX3C16
ab CHF 1.43*
pro Stück
 
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