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"MOSFET"

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Vishay E-Series SIHP5N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = E-Series Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 Ω Gate-Schwellenspannung max. =...
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
ab CHF 0.487*
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Infineon OptiMOS™ 5 ISC0806NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 97 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 97 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0054 O, 0,0071 O Gate-Schwellensp...
Infineon
ISC0806NLSATMA1
ab CHF 1.64*
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Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET (2 Angebote) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK ChipFET Montage-Typ = SMD
Vishay
SI5517DU-T1-GE3
ab CHF 0.387*
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VISHAY SIHP6N65E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 7A, TO-220AB (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: ...
Vishay
SIHP6N65E-GE3
ab CHF 0.818*
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Infineon OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R9ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPC100N04S5L1R9ATMA1
ab CHF 0.68*
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VISHAY SI7738DP-T1-GE3 MOSFET N-KANAL, 150V, 30A, POWERPAK SO (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 ohm Produktpalette: Trench Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...
Vishay
SI7738DP-T1-GE3
ab CHF 1.04*
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Infineon OptiMOS™ 6 BSC010N04LS6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 285 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 285 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC010N04LS6ATMA1
ab CHF 1.53*
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Vishay D Series SiHS36N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 36 A, 3-Pin Super-247 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V Serie = D Series Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 Ω Channel-Modus = Enhancement Ga...
Vishay
SiHS36N50D-GE3
ab CHF 3.70*
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Infineon OptiMOS™ 5 ISZ0702NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A, 8-Pin PQFN 3 x 3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0045 O, 0,0056 O Gate-Schwellenspa...
Infineon
ISZ0702NLSATMA1
ab CHF 0.80*
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Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...
Vishay
SiA106DJ-T1-GE3
ab CHF 1.32*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon OptiMOS™ 5 IPC50N04S55R8ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0058 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1
ab CHF 0.57*
pro Stück
 
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VISHAY SIA110DJ-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 12A, 150°C, 19W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kana...
Vishay
SIA110DJ-T1-GE3
ab CHF 1.865*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon OptiMOS™ 6 ISC010N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
ISC010N04NM6ATMA1
ab CHF 1.48*
pro Stück
 
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VISHAY SIHU6N65E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 7A, TO-251 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: ...
Vishay
SIHU6N65E-GE3
ab CHF 0.586*
pro Stück
 
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Infineon OptiMOS™ 5 ISZ0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin PQFN 3 x 3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 37 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0169 O, 0,0219 O Gate-Schwellensp...
Infineon
ISZ0803NLSATMA1
ab CHF 0.72*
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