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  Transistor  (10’068 Angebote unter 5’588’210 Artikeln)

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"Transistor"

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX55-16 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 NPN (1 Angebot) 
NF-Transistor NPN-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspa...
Infineon
BCX55-16
ab CHF 0.21*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON 2ED21834S06JXUMA1 GATE-TREIBER, IGBT/MOSFET, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: 2.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 2.5 A ...
Infineon
2ED21834S06JXUMA1
ab CHF 0.986*
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 Stück
Infineon IGBT / 250 A ±20V max. Triple, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 250 A Kollektor-Emitter-Spannung = 6500 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1000 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
ab CHF 4’734.12*
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 Packung
Littelfuse IXA20I1200PZ-TRL IGBT Tape on Full reel (1 Angebot) 
Littelfuse IXA20I1200PZ-TRL IGBT Tape on Full reel Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 Technische Daten: Verpackungsart (Bauteile): Tape on Full reel
Littelfuse
IXA20I1200PZ-TRL
ab CHF 5.80*
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 Stück
INFINEON 1ED3890MU12MXUMA1 IGBT-TREIBER, HIGH-SIDE, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1ED Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 V Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side ...
Infineon
1ED3890MU12MXUMA1
ab CHF 3.63*
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 Stück
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut (1 Angebot) 
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut NF-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom ...
Infineon
SMBT2907A
ab CHF 0.0708*
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 Stück
INFINEON AIGB15N65H5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 30A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannu...
Infineon
AIGB15N65H5ATMA1
ab CHF 1.28*
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 Stück
Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 250 W Konfiguration = Single Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
ab CHF 0.84*
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 Stück
Littelfuse IXA12IF1200HB IGBT TO-247AD 1200 V (1 Angebot) 
Littelfuse IXA12IF1200HB IGBT TO-247AD 1200 V Disc IGBT XPT-GenX3 Technische Daten: Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · VCE Sättigung (max.): 1.8 V...
Littelfuse
IXA12IF1200HB
ab CHF 4.51*
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 Stück
INFINEON AIGB15N65F5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 30A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannu...
Infineon
AIGB15N65F5ATMA1
ab CHF 1.28*
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 Stück
Infineon IGBT / 35 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N ...
Infineon
FP35R12N2T7B11BPSA1
ab CHF 80.17*
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 Stück
INFINEON AIGB30N65H5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 55A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannu...
Infineon
AIGB30N65H5ATMA1
ab CHF 1.75*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IGB15N60TATMA1
ab CHF 0.77*
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 Stück
Littelfuse IXA20PG1200DHG-TUB IGBT Tube (1 Angebot) 
Littelfuse IXA20PG1200DHG-TUB IGBT Tube IXA20PG1200DHGLB-TUB IXA20PG1200DHGLB-TUB Technische Daten: Verpackungsart (Bauteile): Tube
Littelfuse
IXA20PG1200DHG-TUB
ab CHF 17.83*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON AIGB30N65F5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 55A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannu...
Infineon
AIGB30N65F5ATMA1
ab CHF 1.75*
pro Stück
 
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