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"MOSFET"

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Vishay SISD5300DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 198 A, 8-Pin 1212-F (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 198 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-F Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISD5300DN-T1-GE3
ab CHF 3’235.68*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
Vishay SiHG052N60EF SIHG052N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 48 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHG052N60EF Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,052 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellens...
Vishay
SIHG052N60EF-GE3
ab CHF 3.71*
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 Stück
Vishay SIR5708DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 33,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33,8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Ch...
Vishay
SIR5708DP-T1-RE3
ab CHF 0.59*
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 Stück
Vishay SIR5708DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 33,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33,8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Sil...
Vishay
SIR5708DP-T1-RE3
ab CHF 1’517.73*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
Vishay SIHG085N60EF-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIHG085N60EF-GE3
ab CHF 5.42*
pro Stück
 
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Vishay SIR5808DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,8 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,8 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIR5808DP-T1-RE3
ab CHF 0.95*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIR5808DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,8 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,8 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIR5808DP-T1-RE3
ab CHF 2’451.48*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
Vishay SIHG155N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 21 A, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHG155N60EF-GE3
ab CHF 5.14*
pro Stück
 
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Vishay SiR626ADP SiR626ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 165 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 165 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = SiR626ADP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00175 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
ab CHF 0.80*
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 Stück
Vishay SiR626ADP SiR626ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 165 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 165 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00175 Ω Channel-Modus =...
Vishay
SiR626ADP-T1-RE3
ab CHF 2’493.18*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
Vishay SIHH085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIHH085N60EF-T1GE3
ab CHF 4.16*
pro Stück
 
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Vishay SIR638ADP-T1-UE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIR638ADP-T1-UE3
ab CHF 2.76*
pro Stück
 
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Vishay SIR638ADP-T1-UE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIR638ADP-T1-UE3
ab CHF 5’649.54*
pro 3’000 Stück
 
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Vishay SISS4409DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 59,2 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 59,2 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS4409DN-T1-GE3
ab CHF 2’456.82*
pro 3’000 Stück
 
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Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 81 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = SiR870BDP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0061 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
ab CHF 0.86*
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