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  MOSFET  (20’681 Angebote unter 5’590’593 Artikeln)

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"MOSFET"

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Vishay SQJA66EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat ein PowerPAK SO-8L...
Vishay
SQJA66EP-T1_GE3
ab CHF 0.50*
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Vishay SiR826LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 86 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00415 Ω Gate-Schwellensp...
Vishay
SiR826LDP-T1-RE3
ab CHF 0.85*
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Vishay SiSS52DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 162 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00095 Ω Gate-Schwell...
Vishay
SiSS52DN-T1-GE3
ab CHF 0.42*
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Vishay SQJA81EP SQJA81EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = SQJA81EP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0173 Ω Channel-Modus = Enhancement G...
Vishay
SQJA81EP-T1_GE3
ab CHF 0.86*
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Vishay SIR882ADP-T1-GE3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SIR882ADP-T1-GE3
ab CHF 10.71*
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Vishay SISS52DN-T1-UE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 162 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS52DN-T1-UE3
ab CHF 0.84*
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Vishay SQ2318BES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,021 Ω Gate-Schwellenspannung max...
Vishay
SQ2318BES-T1_GE3
ab CHF 0.19*
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Vishay SQJB46EP-T1_GE3, SMD MOSFET 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Der Vishay MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse.R-C-Werte für den e...
Vishay
SQJB46EP-T1_GE3
ab CHF 0.47*
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Vishay SiR882BDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 67,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0069 Ω Gate-Schwellen...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
ab CHF 0.93*
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Vishay SISS5708DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 33,8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33,8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro...
Vishay
SISS5708DN-T1-GE3
ab CHF 0.83*
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Vishay SQ3456CEV-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A, 6-Pin TSOP-6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SQ3456CEV-T1_GE3
ab CHF 0.19*
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Vishay SQJQ144AE SQJQ144AE-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 575 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 575 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = SQJQ144AE Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0009 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Vishay
SQJQ144AE-T1_GE3
ab CHF 1.09*
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Vishay SIRA10DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIRA10DP-T1-GE3
ab CHF 0.56*
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Vishay SISS5808DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,6 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,6 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
ab CHF 1.41*
pro Stück
 
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Vishay SQ3495EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,017 Ω Gate-Schwellenspannung max...
Vishay
SQ3495EV-T1_GE3
ab CHF 0.21*
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