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  MOSFET  (20’681 Angebote unter 5’590’593 Artikeln)

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"MOSFET"

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Vishay SIR5211DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 105 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 105 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIR5211DP-T1-GE3
ab CHF 0.57*
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Vishay SiSS30ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 54,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54,7 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0074 Ω Gate-Schwell...
Vishay
SiSS30ADN-T1-GE3
ab CHF 0.44*
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Vishay SQJ264EP SQJ264EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 54 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Dual Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,02 Ω Channel-Modus...
Vishay
SQJ264EP-T1_GE3
ab CHF 0.62*
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Vishay SIR5623DP-T1-RE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 37,1 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 37,1 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIR5623DP-T1-RE3
ab CHF 1.42*
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Vishay SISS30LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55,5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55,5 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ Channel-Modus =...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
ab CHF 5.00*
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Vishay SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SQJ488EP-T1_GE3
ab CHF 5.71*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay SIR5710DP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 26,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26,8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Sil...
Vishay
SIR5710DP-T1-RE3
ab CHF 0.56*
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Vishay SISS4402DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 128 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 128 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SISS4402DN-T1-GE3
ab CHF 1.39*
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Vishay SQJ912DEP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Dual Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0059 Ω Gate-Schwel...
Vishay
SQJ912DEP-T1_GE3
ab CHF 0.41*
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Vishay SIR680LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 130 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 130 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00233 Ω Gate-Schwellens...
Vishay
SIR680LDP-T1-RE3
ab CHF 1.01*
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Vishay SISS4410DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
ab CHF 0.43*
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Vishay SIZF4800LDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 36 A, 12-Pin 3 x 3FS (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = 3 x 3FS Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 12 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIZF4800LDT-T1-GE3
ab CHF 3’149.25*
pro 3’000 Stück
 
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Vishay SQJA38EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 68 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 6,7 mΩ Channel-Modus = En...
Vishay
SQJA38EP-T1_GE3
ab CHF 5.68*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay SIR698DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,5 A PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
ab CHF 0.66*
pro Stück
 
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Vishay SISS5110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55,9 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55,9 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
ab CHF 0.98*
pro Stück
 
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