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  on semiconductor igbt  (190 gefilterte Angebote unter 5’582’712 Artikeln)

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"IGBT"

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onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL50T65SQ
ab CHF 1.85*
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onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 660 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGY100T65SPD
ab CHF 6.72*
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ONSEMI FGB20N60SFD-F085 IGBT, 600V, 40A, 150°C, 208W (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 V Kontinuierlicher Kollekto...
onsemi
FGB20N60SFD-F085
ab CHF 1.75*
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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 1200 V 153 W TO-247 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
ab CHF 4.13*
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onsemi IGBT / 60 A 20V max. 30-fach, 650 V 238 W TO-247-3L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL40T65MQDT
ab CHF 1.90*
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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-3L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 469 W Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65LQDT
ab CHF 3.82*
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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
ab CHF 2.80*
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ONSEMI FGY100T120RWD IGBT, 1.43V, 200A, TO-247 (2 Angebote) 
Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43 V Kontinuierl...
onsemi
FGY100T120RWD
ab CHF 7.17*
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ONSEMI NCD57001FDWR2G IGBT-TREIBER, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: 7.8 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 1...
onsemi
NCD57001FDWR2G
ab CHF 2.07*
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onsemi IGBT-Treibermodul 6,5 A 22V 8-Pin SOIC 13ns (2 Angebote) 
Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Tr...
onsemi
NCD57080BDR2G
ab CHF 0.916*
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onsemi IGBT-Treibermodul 6,5 A 22V 8-Pin SOIC 13ns (2 Angebote) 
Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Abfallzeit = 13ns Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung,...
onsemi
NCD57090CDWR2G
ab CHF 1.25*
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 Stück
onsemi IGBT-Treibermodul 1,9 A 20V 8-Pin SOIC 8ns (2 Angebote) 
Ausgangsstrom = 1,9 A Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber u...
onsemi
NCD57201DR2G
ab CHF 0.66*
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onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGY120T65SPD
ab CHF 7.51*
pro Stück
 
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onsemi IGBT-Treibermodul PWM 6,5 A 20V 14-Pin SOIC (2 Angebote) 
Logik-Typ = PWM Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 14 Gehäusegröße = SOIC
onsemi
NCD57530DWKR2G
ab CHF 2.10*
pro Stück
 
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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
ab CHF 2.25*
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